蔡司扫描电镜SE探头可以看到深层电路的原理

 　　蔡司扫描电镜SE探头，5KV看到浅层电路，30KV看到深层电路，两个图像一目了然，可是为什么SE探头可以看到深层电路呢?

　　二次电子不是说小于10纳米的浅层才能出射的吗，难道加速电压高了，有深层二次电子出射吗?或者SE探头接受的是BSE，所以才能看到深层电路?讨论了一下，发现想解答清楚这个提问，SE、SE的探头类型、BSE、BSE的探头类型，这是一定要说的，然后会引出SE和BSE图像的衬度问题，荷电问题...(这里就要麻烦啦...电荷不存在了，正荷电、负荷电怎么解释?)谈到荷电必然引出镀膜、低真空(包括低真空探头等)，跟着是In-Beam SE探头、In-Beam BSE探头，减速技术等，最后是复杂的In-Beam SE探头接受SE和BSE像…如果都说完了，好像电镜成像就基本讲完了，这篇幅也太大。没办法这次先填第一个，介绍一下SE，以后争取再一一解答。二次电子(Secondary Electron)是吸收能量后激发的样品原子核外的电子，一般认为能量小于50eV，出射深度只有10纳米。

　　二次电子的产率与电子束入射角度相关，对原子序数不敏感(其实二次电子对原子序数20以前的还是敏感的)。

　　入射电子在样品深层也会激发出二次电子，但这些二次电子会被吸收掉，无法出射，所以我们接受到的二次电子都是浅层出射的。

　　但背散射电子也会在样品浅层激发二次电子，由于背散射电子出射深度大，样品深层的成分、结构自然影响背散射电子的空间分布、强度，进而也影响二次电子的激发，自然这些二次电子也就带有了样品深层的信息。所以当加速定压提高时，更多的深层背散射电子出射，它们激发了更多的带有深层信息的二次电子，所以我们也就看到了更多的样品深层信息。

　　根据二次电子的激发源头，可将二次电子SE分为SE1，SE2，SE3。SE1即为入射电子激发的二次电子，对极表面的信息反映最佳;SE2是由背散射电子在样品表面激发的二次电子，带有样品深层信息;SE3则是背散射电子在物镜下沿表面激发的二次电子，基本不反应样品信息。一般我们接收到的都是SE1，SE2的混合像，随着加速电压的提高，SE2比例也在提高，自然深层信息越多。更多请咨询昆山友硕4001500108