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蔡司FIB双束扫描电镜Crossbeam 550全自动TEM样品制备新选择

来源: 浏览: 发布日期:2025-09-02 13:07:29

   传统 TEM 制样技术高度依赖操作者经验,存在效率低、重复性差等核心问题,制约了 TEM 在材料科学、生物医学、电子半导体等领域的应用深度与广度。自动制样技术通过标准化流程、智能定位、精准控制和批量处理,有望系统性解决这些痛点,推动 TEM 制样技术向高通量、自动化,简易化方向发展。

  目前,纳米级或原子级的结构表征是半导体物性失效分析中不可或缺的分析手段,而优质成果则源于高质量的样品制备。TEM 样品制备产量对半导体实验室的日常工作愈加关键,但手动制备复杂困难又耗时耗力。高效统一的流程对于实验室工作的顺利进行至关重要。

蔡司双束扫描电镜

  那么,蔡司双束电镜Crossbeam 550 Samplefab 能够为这些问题带来什么样的解决方案呢?它的优势又在哪里呢?

  三大核心优势 赋能分析测试 提供强力支持

  01 全自动化工作流

  分块 → 提取 → 减薄,三大模块完成 TEM 样品制备,全程自动运行

  支持多区域连续处理,基准标记精准定位,轻松应对多类型样品制备

蔡司双束扫描电镜

  02 智能软件,新手也能变专家

  直观界面 + 向导式操作,新手快速上手;高级参数自定义,满足硬核需求

  实时 SEM 成像监控切割过程,发现问题即时调整

蔡司双束扫描电镜

  03 稳定硬件,超长待机

  离子源寿命长达 3000μAh,电子束分辨率达 0.6nm(30kV),细节分毫毕现

  每周仅需一次校准,以确保实验室效率

  一机多用:集成 FIB-SEM蔡司扫描电镜、纳米操作臂和原位STEM 检测,样品从制备到成像无缝衔接

  借助原位 STEM 实现快速高分辨率薄片成像:Crossbeam 550 Samplefab 可配备扫描透射电子显微镜(STEM)探测器,以便在转移至 TEM 前对薄片进行即时的透射模式检查,也可作为 TEM 的适当替代品。原位 STEM 通常能够提供充足的数据,以做出技术决策或完成工程报告,而无需将样品转移至 TEM

蔡司双束扫描电镜

  ▲左图为暗场 STEM 中 3D NAND;右图为 7 nm 节点静态随机存取存储器(SRAM)的 30 kV STEM 图像,显示了由 Crossbeam 550 Samplefab 采集的明场和暗场 STEM 图像。

蔡司双束扫描电镜

  ▲左图为全栅极(GAA)测试器件的 30 kV 明场 STEM 图像;右图为商用氮化镓(GaN)功率器件的明场 STEM 和 STEM EDS 分析图。

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