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  • 蔡司Crossbeam聚焦离子束扫描电子显微镜

蔡司Crossbeam聚焦离子束扫描电子显微镜

    蔡司Crossbeam系列的FIB-SEM结合了场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)出色的成像和分析性能,和新一代聚焦离子束(FIB)优异的加工性能。无论是在科研或是工业实验室,您都

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产品介绍

    蔡司Crossbeam系列的FIB-SEM结合了场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)出色的成像和分析性能,和新一代聚焦离子束(FIB)优异的加工性能。无论是在科研或是工业实验室,您都可以在一台设备上实现多用户同时操作。得益于蔡司Crossbeam系列模块化的平台设计理念,您可以根据自己需求的变化随时升级仪器系统。在加工、成像或是实现三维重构分析时,Crosssbeam系列都将大大提升您的应用体验。

  使用Gemini电子光学系统,您可以从高分辨率SEM图像中提取真实样本信息

  使用新的Ion-sculptor FIB镜筒以及全新的样品处理方式,您可以大限度地提高样品质量、降低样品损伤,同时大大加快实验操作过程

  使用Ion-sculptor FIB的低电压功能,您可以制备超薄的TEM样品,同时将非晶化损伤降到非常低

  使用Crossbeam 340的可变气压功能

  或使用Crossbeam 550实现更苛刻的表征,大仓室甚至为您提供更多选择

  EM样品制备流程

  按照以下步骤,高效率、高质量地完成制样

  Crossbeam 为制备超薄、高质量的TEM样品提供了一整套解决方案,您可以高效地准备样品,并在TEM或STEM上实现透射成像模式的分析。

Optional add-on

 

  1.自动定位——感兴趣的区域(ROI)轻松导航

  您可以不费功夫地找到感兴趣的区域(ROI)

  使用样品交换室的导航相机对样品进行定位

  集成的用户界面使得您可以轻松定位到ROI

  在SEM上获得宽视野、无畸变的图像

Lamella of a copper sample ready for lift out

 

  2. 自动制样——从体材料开始制备薄片样品

  您可以通过简单的三个步骤制备样品:ASP(自动样品制备)

  定义参数包括漂移修正,表面沉积以及粗切、精细切割

  FIB镜筒的离子光学系统保证了工作流程具有极高的通量

  将参数导出为副本,进而可以重复操作实现批量制备

  

Part of the TEM lamella preparation workflow in a ZEISS Crossbeam

 

  3. 轻松转移——样品切割、转移机械化

  导入机械手,将薄片样品焊接在机械手的针尖上

  将薄片样品与样品基体连接部分进行切割,使其分离

  薄片随后会被提取并转移到TEM栅网上

  

TEM lamella of a silicon sample after final thinning

 

  4. 样品减薄——获取高质量TEM样品至关重要的一步

  仪器在设计上允许用户实时监控样品厚度,并最终达到所需求的目标厚度

  您可以同时通过收集两个探测器的信号判断薄片厚度,一方面可以通过SE探测器以高重复性获取最终厚度,另一方面可以通过Inlens SE 探测器控制表面质量

  制备高质量的样品,并将非晶化损伤降到可以忽略的地步

  蔡司 Crossbeam 340 蔡司 Crossbeam 550
扫描电子束系统 Gemini I VP 镜筒

Gemini II镜筒

可选Tandem decel

样品仓尺寸和接口 标准样品仓有18个扩展接口 标准样品仓有18个扩展接口或者加大样品仓有22个扩展接口
样品台 X/Y方向行程均为100mm X/Y方向行程:标准样品仓100mm加大样品仓153 mm 
荷电控制

荷电中和电子枪

局域电荷中和器

可变气压

荷电中和电子枪

局域电荷中和器

 

可选选项

Inlens Duo探测器可依次获取SE/EsB图像

VPSE探测器

Inlens SE 和 Inlens EsB可同时获取SE和ESB成像

大尺寸预真空室可传输8英寸晶元

注意加大样品仓可同时安装3支压缩空气驱动的附件。例如 STEM, 4分割背散射 探测器和局域电荷中和器

特点 由于采用了可变气压模式,从而具有更大范围的样品兼容性,适用于各类原位实验,可依次获取SE/EsB图像 高效的分析和成像,在各种条件下保持高分辨特性,同时获取Inlens SE和Inlens ESB图像
    *SE 二次电子,EsB 能量选择背散射电子

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