蔡司扫描电镜SEM晶体缺陷定量定性分析技术研习班报名

 　　5月31日，蔡司扫描电镜邀请德国马普所显微表征领域专家Stefan Zaefferer 博士，共同举办“SEM晶体缺陷定量定性分析技术”大中华区研习班。作为国际知名科学家，Dr. Stefan不仅将为我们介绍专门用于SEM中位错、层错等晶体缺陷定量定性分析的cECCI方案，还将进行该技术的操作教学与培训。

　　cECCI(Controlled Electron Channeling Contrast Imaging)

　　可控电子通道衬度成像

　　清晰的晶体缺陷表征与分析通常被认为只能在透射电镜(TEM)中完成，由此对制样流程、拍摄技巧(双束条件)都存在较高要求，可表征范围也较小。

　　而cECCI是可以在扫描电镜(SEM)中实现清晰的晶体学缺陷快速定量定性与分析的技术，它基于晶格错排造成的背散射信号差异来实现，同时兼具了SEM中制样简单(仅需抛光)、可表征范围大(整个样品)，TEM中可统计位错密度、确定柏氏矢量的优点。在此基础上，Dr. Stefan大大简化了cECCI的操作流程，可以快速获得双束条件，降低了该技术的上手门槛，有助于帮助金属、陶瓷、半导体等领域的用户开展快速而准确的晶体缺陷分析。

　　▲ 高熵合金中的晶体缺陷表征

　　欢迎全国存在快速晶体缺陷表征与分析需求的相关领域研究学者，报名参加此次研习班。

　　SEM晶体缺陷定量定性分析技术(cECCI)

　　时间：5月31日

　　地点：上海市浦东新区美约路60号 蔡司客户中心

　　形式：线下参会/线上直播

　　(为了保证演示效果，上机部分仅线下展示)

　　内容：

　　cECCI技术方案介绍

　　cECCI技术上机操作教学与培训

　　语言：中文/英文

　　特邀嘉宾：Stefan Zaefferer 博士

　　马普所 “显微学与衍射 ”研究组负责人

　　2000 年以来，Dr. Stefan一直担任 MPIE “显微学与衍射 ”研究组负责人。在此期间，主要从事 SEM 和 TEM中电子衍射技术、晶体取向测定、晶格缺陷表征技术的开发与应用，率先发展了基于SEM的cECCI技术，并将这些方法广泛应用于显微结构表征、变形机理等研究中。已发表SCI文章140余篇，被引超万次。